STPSC2H065BY-TR

STPSC2H065BY-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，隶属于其面向汽车电子应用的Automotive, AEC-Q101认证产品线，并采用环保的ECOPACK2封装。该器件采用先进的碳化硅半导体材料，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管中固有的少数载流子存储效应，从而实现了本质上极快的开关特性和近乎为零的反向恢复电荷。这种物理特性上的根本优势，使其在高频、高效率的功率转换电路中表现出色。

在功能特性上，该二极管最显著的优势在于其零反向恢复时间（trr = 0 ns）和极低的反向恢复电荷。这意味着在开关过程中，从正向导通到反向阻断的切换几乎瞬时完成，不会产生传统快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）所固有的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。这一特性对于提升开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及逆变器的整体效率、降低电磁干扰（EMI）和减小散热器尺寸至关重要。同时，其在650V反向电压下的反向漏电流典型值仅为20A，体现了出色的高温阻断能力和可靠性。

从具体接口与电气参数来看，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装（TO-252-3），便于自动化生产并具有良好的散热性能。其额定平均整流电流为2A，在2A正向电流下的典型正向压降为1.55V。虽然其初始正向导通压降略高于同类硅基肖特基二极管，但其正温度系数特性使得在高温和高电流下性能衰减更小，更适合于并联应用以扩展电流能力。此外，其极低的结电容（135pF @ 0V, 1MHz）进一步支持了高频开关操作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及批量供应服务。

基于其卓越的开关性能和AEC-Q101车规级认证，STPSC2H065BY-TR非常适合应用于对效率、功率密度和可靠性要求极高的场景。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器中的升压二极管、服务器及通信电源中的高效率PFC级，以及工业电机驱动中的续流或钳位电路。在这些应用中，它能够有效降低系统损耗，提升功率密度，并确保在严苛环境下的长期稳定运行。

• 型号:STPSC2H065BY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:135pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC2H065BY-TR是意法半导体推出的一款车规级（AEC-Q101）碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。其核心价值在于利用碳化硅材料的物理特性，实现了本质上为零的反向恢复时间（0 ns）和极低的反向恢复电荷，从而彻底消除了传统硅二极管在高速开关时产生的损耗和噪声问题。

该器件额定电压为650V，平均整流电流为2A，在2A电流下正向压降为1.55V。其零反向恢复的特性使其成为高频、高效率功率转换设计的理想选择，能够显著提升系统效率、功率密度并简化热管理设计。其符合汽车级标准的可靠性和ECOPACK2环保封装，使其尤其适用于电动汽车、工业电源及可再生能源系统等要求严苛的应用领域。