STW34NM60ND

STW34NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的工艺技术，有效降低了单位面积的比导通电阻（Rds(on) * Area），从而在给定的芯片尺寸下获得了优异的电气性能。这种架构确保了器件在高功率开关应用中能够高效、可靠地工作。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级交流输入整流后的高压母线环境。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、14.5A漏极电流条件下典型值仅为110毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在80.4nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STW34NM60ND采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达29A，最大允许结温（Tj）为150°C，最大功率耗散为190W，为系统设计提供了充足的功率处理余量。栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此产品及相关设计资源。

得益于其高性能指标，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率级。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性有助于提升整体系统效率，而高耐压和稳健的封装则确保了在严苛电气环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STW34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW34NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至110毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化：29A的连续漏极电流（Id）和190W的功率耗散能力提供了强大的功率处理性能；同时，80.4nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，提升频率响应并减少开关损耗。这些特性共同构成了其在要求严苛的功率电子系统中的核心价值。