STV250N55F3

STV250N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和工艺控制，在单位面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，有效平衡了传导损耗与开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。其表面贴装的10-PowerSO封装不仅提供了紧凑的占板面积，还通过优化的引脚布局和散热焊盘设计，确保了在高功率密度应用中依然能维持良好的热管理能力。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在75A电流条件下仅为2.2毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常小，尤其适合大电流工作环境。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在100nC，结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的重叠损耗，从而提升系统在高频工作下的整体效率。器件具备高达200A（壳温条件下）的连续漏极电流处理能力和55V的漏源击穿电压，为设计提供了宽裕的安全裕度。

在接口与参数方面，STV250N55F3的栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫能力和可靠的导通与关断控制。器件支持高达300W（壳温条件下）的功率耗散，并且其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，使其能够适应严苛的工业环境温度波动。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、大电流电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和焊接设备中的功率开关模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标对于理解高效率功率器件选型仍具有重要的参考价值。

• 型号:STV250N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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STV250N55F3是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET。该器件在55V漏源电压（V_dss）规格下，能够处理高达200A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、75A电流条件下典型值仅为2.2毫欧，可显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值被控制在100nC，有利于实现快速开关，优化高频应用下的效率。器件采用10-PowerSO表面贴装封装，最大功率耗散为300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，这些特性使其非常适合用于高电流、高功率密度的开关电源和电机驱动解决方案。