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STPSC6H065DI

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
原厂封装:封装:TO-220AC ins
优势价格,STPSC6H065DI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC6H065DI的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC6H065DI是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料,其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管中固有的少数载流子存储效应,实现了本质上极快的开关速度和近乎为零的反向恢复电荷。这种物理特性上的根本差异,使其在高频、高效率的功率转换应用中展现出显著优势,成为替代传统硅基快恢复二极管和超快恢复二极管的理想选择。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的静态与动态性能上。在静态特性方面,它在6A额定电流下的典型正向压降仅为1.75V,有效降低了导通损耗。其反向漏电流在650V额定电压下典型值仅为60A,确保了出色的高温阻断能力和低功耗。动态特性是其最大亮点,得益于碳化硅肖特基结构,它实现了真正的“零反向恢复”特性,其开关行为表现为极快的电容性关断,彻底消除了传统二极管关断时由少数载流子复合产生的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。这不仅提升了系统效率,还显著降低了开关噪声和电磁干扰(EMI),简化了缓冲电路设计。

在接口与参数层面,STPSC6H065DI采用工业标准的TO-220AC绝缘封装,便于安装和散热管理。其额定参数明确且稳健:最大直流反向电压(Vr)达650V,可轻松应对380VAC三相整流等高压应用场景;平均整流电流(Io)为6A,提供了充足的电流处理能力。其快速恢复特性(< 500ns)与高可靠性,使其在严苛的工作条件下也能稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于上述技术优势,STPSC6H065DI非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。典型应用场景包括服务器和电信设备的高效率开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)升压二极管、太阳能光伏逆变器中的续流或升压二极管、不间断电源(UPS)以及工业电机驱动中的整流和钳位电路。在这些应用中,它能够有效提升系统整体效率,降低散热需求,并允许使用更高频率的开关,从而减小无源元件(如电感和电容)的体积,助力实现更紧凑、更高效的下一代电源设计方案。

  • 型号:STPSC6H065DI
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC ins
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):6A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC
  • 供应商器件封装:TO-220AC ins
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC6H065DI是意法半导体推出的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC绝缘封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性,实现了极低的正向压降(1.75V @ 6A)与反向漏电流(60A @ 650V),有效优化了导通与阻断损耗。

其核心价值在于卓越的动态性能。与传统硅二极管不同,它具备近乎为零的反向恢复电荷,开关过程表现为快速的电容性行为,从根本上消除了反向恢复电流带来的开关损耗和噪声。这一特性使其成为高频、高效率功率转换应用的理想选择,能够显著提升系统效率、功率密度并简化电路设计。

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