STPSC6H065DLF

STPSC6H065DLF是ST意法半导体推出的一款采用先进碳化硅（SiC）材料技术制造的肖特基势垒二极管。该器件基于宽禁带半导体材料碳化硅，其核心架构从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管。碳化硅材料具备更高的临界击穿电场强度、更高的热导率以及更宽的能带隙，这使得二极管能够在更高的温度、电压和开关频率下稳定工作，同时实现极低的开关损耗。其内部结构优化了电场分布，确保了在高反向电压下的可靠性与稳定性。

该二极管具备一系列卓越的功能特性。其最显著的优势在于零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr），这得益于肖特基势垒整流原理，从根本上消除了少数载流子存储效应。这一特性使得它在高频开关电路中能够极大降低开关损耗，减少电磁干扰，并提升整体系统效率。同时，器件在650V反向电压下的反向漏电流极低，典型值仅为60A，体现了出色的高温阻断能力。其正向压降在6A额定电流下仅为1.55V，提供了良好的导通性能。对于需要技术支持与供应的用户，可以联系ST中国代理获取详细资料。

在电气接口与参数方面，STPSC6H065DLF额定平均整流电流为6A，最大直流反向电压达650V，适用于中功率应用场景。其结电容在0V偏压和1MHz测试频率下为350pF，有助于在高频下保持良好的动态特性。器件采用表面贴装形式的8-PowerVDFN封装，具体为PowerFlat（8x8）HV，该封装属于ECOPACK2系列，符合环保标准，并提供了优异的散热性能，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的热管理。

基于其高性能参数，STPSC6H065DLF非常适合应用于对效率和频率有严苛要求的领域。主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业电机驱动中的辅助电源或箝位电路。在这些应用中，它能有效替代硅基快恢复二极管，显著降低系统损耗，提升功率密度，并允许使用更小的磁性元件，从而帮助设计者开发出更高效、更紧凑的下一代电力电子设备。

• 型号:STPSC6H065DLF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:350pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 想获取STPSC6H065DLF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC6H065DLF是ST意法半导体生产的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管，采用先进的宽禁带半导体技术。该器件的核心优势在于其基于肖特基势垒原理，实现了零反向恢复时间（0ns），彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流尖峰，这对于提升高频开关电路的效率与可靠性至关重要。

器件在6A额定电流下的典型正向压降为1.55V，确保了较低的导通损耗。同时，其在650V高压下的反向漏电流极小，并采用PowerFlat HV表面贴装封装，兼具优异的电气隔离与散热性能。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择，尤其适用于PFC、太阳能逆变器及电动汽车充电等前沿应用。