STQ1NK60ZR-AP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STQ1NK60ZR-AP是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。该器件隶属于ST先进的SuperMESH产品系列，该系列通过优化的单元结构和工艺技术，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精细的栅极设计和沟道优化，确保了在高压工作条件下的可靠性与稳定性。

这款MOSFET的显著特性在于其高达600V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力。同时，得益于SuperMESH技术，它在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，在400mA漏极电流条件下最大值仅为15欧姆，有助于减少导通损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.9nC，结合94pF的输入电容（Ciss），意味着开关速度快，驱动需求简单，有利于简化外围驱动电路设计并降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在电气参数方面，STQ1NK60ZR-AP在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值为300mA，最大功耗为3W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕量。器件采用经典的TO-92-3通孔封装，便于在原型设计或成本敏感型应用中手工焊接与安装，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过ST授权代理进行采购。

基于其高压、低栅极电荷和紧凑封装的特点，STQ1NK60ZR-AP非常适用于小功率离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、LED照明驱动以及家用电器中的辅助电源模块。它也是电机驱动、继电器替代等应用中，需要高效、快速进行高压小电流切换的理想选择，为设计工程师提供了一个在性能、可靠性与成本之间取得优异平衡的解决方案。

• 型号:STQ1NK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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STQ1NK60ZR-AP是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。作为SuperMESH系列的一员，其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）和优化的开关特性，能够满足高压环境下的应用需求。

该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时其极低的栅极电荷（最大值6.9nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了良好的环境适应性，适用于要求高可靠性的工业与消费电子领域。