STQ2HNK60ZR-AP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STQ2HNK60ZR-AP是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该系列通过独特的单元结构和工艺优化，在导通电阻与栅极电荷之间实现了出色的平衡，旨在为高压开关应用提供高效率与高可靠性。这款器件采用经典的TO-92-3通孔封装，为工程师在紧凑型设计中提供了灵活且成熟的安装选项。

该器件的核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路以及离线式开关电源（SMPS）中常见的电压应力和开关浪涌。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A电流条件下最大值为4.8欧姆，结合极低的栅极电荷（Qg，最大值15nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值280pF @ 25V），共同确保了快速的开关切换速度和较低的开关损耗，有助于提升系统整体能效。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STQ2HNK60ZR-AP在壳温（Tc）条件下可支持高达500mA的连续漏极电流，最大功耗为3W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 50A，确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性，简化了驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的环境要求，从消费电子到工业自动化领域均可稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低栅荷及快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于小功率开关电源的初级侧开关、LED照明驱动、家用电器中的辅助电源以及电池充电器电路。它在需要高效能量转换和空间受限的设计中表现出色，是工程师实现高性价比、高可靠性功率开关解决方案的理想选择之一。

• 型号:STQ2HNK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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STQ2HNK60ZR-AP是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道高压MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。其核心特性包括高达600V的漏源电压（Vdss）和500mA的连续漏极电流，为高压小功率应用提供了坚实的基础。

该器件在开关性能上表现优异，其最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，结合4.8欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了开关损耗和导通损耗，有助于提升系统效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。