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STRVS118X02C

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 85VWM 118VC SMC
原厂封装:封装:SMC
优势价格,STRVS118X02C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STRVS118X02C的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STRVS118X02C是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用齐纳(Zener)技术,专为在严苛环境下提供可靠的过压保护而设计。该器件采用紧凑的DO-214AB(SMC)表面贴装封装,其核心设计旨在快速响应并吸收由静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或感应负载开关等事件产生的瞬态高压尖峰,从而保护下游敏感电子元件免受损坏。

该器件具备85V的反向断态电压95V的最小击穿电压,确保在正常工作电压下呈现高阻抗状态,对电路影响极小。当遭遇瞬态过压时,它能迅速动作,在特定的峰值脉冲电流条件下将电压箝位至最大值118V,有效限制施加在被保护器件上的电压。其单向通道特性使其特别适用于保护直流电路或需要明确极性保护的场合。对于需要采购或技术支持的客户,可以联系专业的ST中国代理获取相关服务。

在电气参数方面,STRVS118X02C能够处理2A(8/20s波形)的峰值脉冲电流,展现了其吸收瞬时高能量冲击的能力。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 150°C)确保了器件在工业、汽车及户外设备等极端温度环境下的稳定性和可靠性。表面贴装型设计便于自动化生产,提升了装配效率。

基于其电压箝位特性和单向保护能力,STRVS118X02C的典型应用场景是MOSFET保护。在功率开关电路中,MOSFET的栅极或漏极极易因电感负载关断、雷击感应或电源波动而产生电压尖峰,该TVS二极管可以并联在需要保护的端口,迅速将过压箝位在安全水平,防止MOSFET被击穿,从而提高整个电源管理系统或电机驱动电路的鲁棒性和寿命。它也适用于其他需要中压等级保护的通信端口、传感器接口或直流电源线路。

  • 型号:STRVS118X02C
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 85VWM 118VC SMC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):85V
  • 电压 - 击穿(最小值):95V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):118V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:MOSFET 保护
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装:SMC
  • 想获取STRVS118X02C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STRVS118X02C是ST意法半导体生产的一款单向TVS保护二极管,采用SMC封装。其核心功能是在85V反向断态电压下保持关断,并在过压事件发生时,迅速将电压箝位至最高118V,以吸收瞬态能量,保护后续电路。

该器件能承受2A(8/20s)的峰值脉冲电流,工作结温范围宽达-55°C 至 150°C,确保了在恶劣环境下的可靠性。其主要设计用于MOSFET等功率器件的过压保护,是提升工业及汽车电子系统稳健性的关键元件。

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