STRVS182X02F

STRVS182X02F是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，隶属于其STRVS系列。该器件采用经典的齐纳二极管架构，通过半导体PN结在雪崩击穿区的快速响应特性，为敏感电子线路提供可靠的过电压保护。其核心设计旨在精确控制击穿电压与箝位电压，确保在承受高能瞬态脉冲时，能够迅速将过电压箝位至安全水平，从而有效保护下游电路，特别是对电压尖峰极为敏感的功率MOSFET器件。

该TVS二极管具备128V的反向断态电压与143V的最小击穿电压，其关键特性在于能够将峰值脉冲电流下的箝位电压最大值控制在182V。这一精确的电压箝位能力，结合其2A的峰值脉冲电流（8/20s波形）处理能力，使其成为抑制中等能量瞬态干扰的有效解决方案。器件采用通孔安装的DO-201AA（DO-27）轴向封装，具有坚固的物理结构，便于在传统PCB板上进行焊接和安装。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在严苛工业环境或高温应用中的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面，STRVS182X02F作为单向保护器件，适用于需要区分电压极性的直流线路保护场景。其设计参数，如击穿电压与箝位电压的紧密关系，是针对特定保护阈值进行优化的结果。用户在选择时，需确保其反向断态电压高于被保护线路的正常工作电压，同时其箝位电压低于被保护器件的最大耐受电压。对于需要获取该器件详细技术资料或采购支持的工程师，可以咨询专业的ST中国代理以获取准确的产品信息。

该器件的主要应用场景聚焦于功率MOSFET的栅极-源极（VGS）保护。功率MOSFET的栅极氧化层非常脆弱，极易因静电放电（ESD）或开关过程中产生的电压振荡而损坏。将STRVS182X02F并联在MOSFET的栅源两端，可以迅速吸收这些意外的电压尖峰，将栅源电压箝位在安全值以下，从而显著提升功率开关电路的鲁棒性和长期可靠性。此外，它也可用于其他需要中压保护的直流电源线路、信号线路或接口电路中，作为一道有效的过电压屏障。

• 制造商产品型号：STRVS182X02F
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TVS DIODE 128V 182V DO201
• 系列：TVS - 二极管
• 产品系列：STRVS
• 零件状态：停产
• 类型：齐纳
• 单向通道：1
• 双向通道：-
• 电压-反向断态（典型值）：128V
• 电压-击穿（最小值）：143V
• 不同Ipp时电压-箝位（最大值）：182V
• 电流-峰值脉冲(10/1000s)：2A（8/20s）
• 功率-峰值脉冲：-
• 电源线路保护：无
• 应用：MOSFET 保护
• 不同频率时电容：-
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 封装：DO-201AA，DO-27，轴向
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STRVS182X02F是ST意法半导体生产的一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用DO-201AA轴向封装。该器件设计用于为电子线路提供精确的过电压保护，其核心参数包括128V的反向断态电压、143V的最小击穿电压以及182V的最大箝位电压。

其能够处理2A（8/20s波形）的峰值脉冲电流，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定性能。该器件特别适用于保护对电压敏感的功率MOSFET栅极，防止因电压瞬变导致的损坏，是提升工业及功率电子系统可靠性的关键保护元件。