STS17NH3LL

STS17NH3LL是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精细的沟道和终端结构优化，确保了在紧凑的8-SO封装内实现高达17A的连续漏极电流处理能力，同时维持了良好的热性能。

该MOSFET的显著特性在于其优异的低导通电阻表现，在10V驱动电压、8.5A电流条件下，Rds(on)最大值仅为5.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在24nC（@4.5V），结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V，配合±16V的最大栅源电压范围，提供了稳健的驱动安全裕度和良好的噪声免疫力。

在电气参数方面，STS17NH3LL的漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的低压直流总线。其功率耗散能力在管壳温度为基准时最大为2.7W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。表面贴装的8-SO封装形式，符合现代电子设备高密度组装的需求。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品正宗性和供应链稳定的重要途径。

凭借30V的耐压和17A的电流能力，这款器件非常适合用于需要高效功率转换和控制的低压、大电流场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、以及各类电源管理模块中的负载开关。其快速开关特性也使其适用于需要高频操作的电路。尽管该产品已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在仍有库存或特定延续需求的工业控制、消费电子及通信设备等领域的电源解决方案中，依然具备参考和应用价值。

• 型号:STS17NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS17NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心优势在于其卓越的电气性能平衡。

其关键参数包括30V的漏源电压(Vdss)和高达17A(Tc)的连续漏极电流处理能力。最突出的卖点是极低的导通电阻，在10V Vgs、8.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为5.7mΩ，能显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（最大值24nC @ 4.5V）有利于实现高效快速的开关操作，减少驱动损耗。这些特性使其成为低压、大电流应用中追求高效率和小型化的理想选择。