STS1DNC45

STS1DNC45是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，内部集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，为需要高电压、小电流开关或信号调理的应用提供了高度集成的解决方案。其核心架构通过优化的单元设计和工艺，在450V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，这对于提升开关效率和降低动态损耗至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其高压性能与低损耗特性的结合上。其导通电阻（RDS(on)）在10V栅极驱动电压和500mA漏极电流条件下典型值仅为4.5欧姆，确保了在导通状态下的低功率损耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.7V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。更值得关注的是其出色的动态特性，在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为10nC，配合最大160pF的输入电容（Ciss），共同决定了极低的栅极驱动需求，能够实现快速开关并显著降低驱动电路的负担和开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。

在接口与参数方面，每个MOSFET通道在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为400mA，最大功耗为1.6W。器件采用工业标准的8引脚SOIC封装，便于在空间受限的PCB上进行布局和焊接。其结温（Tj）最高可工作至150°C，提供了宽泛的工作温度裕量，增强了系统在恶劣环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、双通道和快速开关的特性，STS1DNC45非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的辅助电源、功率因数校正（PFC）电路中的小功率开关、照明镇流器控制、工业控制中的信号隔离与切换，以及任何需要高压侧开关或电平转换的场合。其双通道集成的设计，能够有效节省PCB面积，简化电路布局，是工程师在设计高密度、高效率功率系统时的优选器件之一。

• 型号:STS1DNC45
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 想获取STS1DNC45的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS1DNC45是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的双N沟道功率MOSFET阵列，封装于8-SOIC。该器件核心优势在于其450V的高耐压能力与优异的开关性能的平衡。其导通电阻低至4.5欧姆（@10V，500mA），有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（10nC @10V）和输入电容（160pF @25V）确保了快速的开关速度和低驱动损耗。

每个通道可提供400mA的连续漏极电流，最大功耗1.6W，工作结温高达150°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为小功率高压开关应用的理想选择，例如辅助电源、照明控制和工业接口电路，能够有效提升系统效率和功率密度。