STS5DP3LLH6

STS5DP3LLH6是ST意法半导体基于其先进的STripFET H6工艺平台与DeepGATE技术开发的一款双P沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，集成了两个独立的逻辑电平栅极MOSFET，其核心设计旨在通过优化单元结构和沟道技术，在有限的芯片面积内实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而显著提升功率转换效率并降低开关损耗。

该芯片具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，每个通道的连续漏极电流(Id)额定值为5A，能够处理中等功率负载。作为逻辑电平栅极器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，并针对4.5V或5V的栅极驱动电压进行了优化，这使得它可以直接由微控制器或低电压逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。在10V Vgs、2.5A Id条件下，其导通电阻(RDS(on))典型值低至56毫欧，有效减少了导通状态下的功率损耗。同时，在4.5V Vgs下的栅极电荷(Qg)最大值仅为6nC，结合639pF的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与热管理方面，该器件采用标准的表面贴装8-SOIC封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大结温(TJ)高达150°C，提供了宽裕的热设计余量，但需要注意的是其最大功耗为2.7W，在实际应用中需结合散热条件进行降额设计。用户可通过ST授权代理获取完整的设计支持与供应链服务。

得益于其双P沟道、逻辑电平驱动和优异的开关性能组合，STS5DP3LLH6非常适合应用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的高端开关、电机驱动电路中的H桥或半桥架构、电池供电设备的负载开关，以及各类需要紧凑型双开关解决方案的电源分配单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性在相关遗留系统或特定设计需求中仍具有参考价值。

• 型号:STS5DP3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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STS5DP3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET H6工艺的双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。该器件专为逻辑电平驱动设计，栅极阈值电压低至2.5V，可直接由4.5V或5V电源驱动，简化了电路设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能：在10V Vgs下，导通电阻低至56毫欧，有助于降低导通损耗；同时，极低的栅极电荷（4.5V Vgs下最大6nC）确保了快速的开关响应，适合高频应用。每个通道支持30V耐压和5A连续电流，适用于同步整流、电机驱动和负载开关等功率管理场景。