STS8C5H30L

STS8C5H30L是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道与P沟道MOSFET对管，集成于紧凑的8-SOIC封装内。该器件采用优化的沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，这一关键指标（FOM）的显著优化，直接转化为更高的开关效率和更低的功率损耗。其逻辑电平门驱动特性确保了器件能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字信号处理器直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在电气性能方面，该MOSFET对管提供了稳健的30V漏源电压（Vdss）额定值，其中N沟道元件在25°C环境温度下可支持高达8A的连续漏极电流，而P沟道元件则为5.4A。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，例如N沟道在4A电流、10V栅源电压下典型值仅为22毫欧，这有助于减少导通状态下的功率耗散。同时，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）低至1V，以及在5V驱动下最大栅极电荷（Qg）仅为10nC，共同确保了快速、高效的开关切换，特别适用于高频PWM应用。低输入电容（Ciss）进一步减少了驱动电路的负担，提升了整体响应速度。

该器件采用标准的表面贴装8-SOIC封装，封装宽度为3.90mm，便于在空间受限的PCB上进行高密度布局。其结温（Tj）额定值高达150°C，提供了宽裕的热设计余量，结合2W的最大功耗能力，使其能够在各种环境条件下稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过正规的ST授权代理进行采购，是确保获得原装正品和完整售后服务的保障。

得益于其高性能与高集成度，STS8C5H30L非常适合应用于需要高效功率管理和信号切换的场合。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的高边和低边开关、电机驱动H桥电路中的半桥配置、电池供电设备中的负载开关与电源路径管理，以及各类便携式电子设备中的功率分配单元。其双MOSFET集成设计节省了PCB面积，降低了元件数量，是追求高效率、高功率密度及高可靠性的现代电子系统的理想选择。

• 型号:STS8C5H30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，5.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 想获取STS8C5H30L的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS8C5H30L是ST意法半导体推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的阵列产品，隶属于高性能STripFET III系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，核心优势在于其针对开关应用优化的电气参数组合。

其N沟道与P沟道元件分别提供8A和5.4A的连续漏极电流能力，并具备30V的漏源电压额定值。关键特性包括极低的导通电阻（典型值22mΩ @ 4A, 10V）以及极低的栅极电荷（最大值10nC @ 5V），这共同确保了在导通和开关过程中均具有卓越的能效表现。此外，其逻辑电平门驱动（最大Vgs(th)为1V）使其可直接由低压微控制器驱动，简化了系统设计。

这些特性使其成为空间和效率敏感型应用的理想解决方案，例如同步整流DC-DC转换器、电机驱动桥路以及便携设备的功率开关电路。