STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款双N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-SOIC封装，集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET，为设计工程师提供了高集成度与空间效率的解决方案。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精细的沟槽工艺实现了优异的开关性能与热管理能力，确保在严苛的电气环境下稳定工作。

该芯片具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，连续漏极电流（Id）在25°C下可达10A，适用于中低电压、中高电流的功率路径控制。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1V，这意味着它能够被常见的3.3V或5V微控制器GPIO端口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。在5A电流、10V栅极电压条件下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至19毫欧，这一低导通阻抗显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。

在动态性能方面，STS8DN3LLH5在4.5V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为5.4nC，结合724pF（在25V Vds下）的输入电容（Ciss），共同决定了其极快的开关速度。低栅极电荷减少了驱动电路的负担，并有效降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其最大功耗为2.7W，宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在工业、汽车及消费电子等多种环境下的可靠性。表面贴装型封装符合现代自动化生产需求，便于集成到高密度PCB设计中。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品与相关服务。

综合其参数，STS8DN3LLH5非常适合需要高效率功率切换与紧凑布局的应用场景。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的同步整流管或控制开关、电机驱动电路中的H桥或半桥臂、电池管理系统的负载开关与保护电路，以及LED驱动和电源分配模块。其双通道集成特性尤其适用于需要两个独立或互补开关的拓扑结构，在节省PCB空间的同时，提供了卓越的电气性能和热性能。

• 型号:STS8DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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STS8DN3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用STripFET V技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道额定值为30V漏源电压和10A连续漏极电流，为空间受限的设计提供了高集成度解决方案。

其核心优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻低至19毫欧（@5A），能有效降低导通损耗。作为逻辑电平器件，其最大栅极阈值电压为1V，可直接由低压微控制器驱动。同时，极低的栅极电荷（5.4nC @4.5V）确保了快速的开关速度，适合高频应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的稳定运行。