STSJ50NH3LL

STSJ50NH3LL是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在硅片层面优化了元胞结构，实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换效率至关重要。紧凑的8-SOIC表面贴装封装不仅节省了电路板空间，也优化了热性能，便于热量从芯片结温（TJ）向环境（Ta）或外壳（Tc）传导。

作为一款30V耐压的器件，STSJ50NH3LL在25°C外壳温度下能够持续通过高达50A的漏极电流，展现了其强大的电流处理能力。其关键电气特性包括极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压和6A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为10.5毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1V，而栅极电荷Qg在4.5V驱动下最大仅为12nC，这意味着器件具备快速开关能力和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。用户可通过正规的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

在接口与参数方面，该MOSFET的栅源电压耐受范围为±16V，提供了足够的驱动安全裕量。其输入电容Ciss在25V漏源电压下最大为965pF，是评估开关速度的重要参数。器件的功率耗散能力在环境温度下为3W，而在外壳温度下可高达50W，这突显了良好散热设计的重要性。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

凭借其优异的性能组合，STSJ50NH3LL非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动控制以及各类负载开关场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典的高性能功率开关解决方案，体现了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。

• 型号:STSJ50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STSJ50NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装和STripFET技术。该器件核心优势在于其30V的漏源电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流处理能力，配合极低的导通电阻（典型值10.5毫欧 @ 10V），能显著降低导通损耗，提升系统效率。

其开关特性同样出色，较低的栅极电荷（最大12nC）和适中的输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频应用。器件支持宽范围工作温度（-55°C ~ 150°C），并具备良好的功率耗散能力，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。