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STSR30D

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,STSR30D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STSR30D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STSR30D是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款单通道低端栅极驱动器IC,属于其电源管理产品线。该器件采用紧凑的8-SOIC封装,专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计。其内部架构集成了逻辑电平转换、欠压锁定(UVLO)保护以及具备强大拉灌电流能力的图腾柱输出级,确保了在宽泛工作电压(4V至5.5V)和温度范围(-40°C至125°C结温)内的稳定性和鲁棒性。

该驱动器的核心优势在于其快速且对称的开关性能,其上升与下降时间的典型值均低至40纳秒,配合高达1.5A的峰值拉电流和灌电流能力,能够显著降低功率开关管的开关损耗,并有效抑制因栅极电荷充放电延迟引起的导通与关断失真。这种高速、大电流的驱动特性对于提升开关电源、电机控制等应用的效率和功率密度至关重要。其输入采用非反相设计,与标准逻辑电平兼容,简化了与控制单元(如MCU或PWM控制器)的接口设计。

在接口与关键参数方面,STSR30D提供了简洁的三引脚控制接口(VCC, IN, GND)和功率输出接口(OUT)。其优化的输出级设计旨在最小化电磁干扰(EMI),同时内置的欠压锁定功能可在电源电压不足时强制输出低电平,防止功率管处于不明确的导通状态,从而增强了系统的安全性。对于需要可靠供应链支持的批量项目,可以通过授权的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

基于其性能特点,该器件非常适合应用于对开关速度和驱动能力有较高要求的低端开关场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流MOSFET驱动、低压电机驱动电路中的下桥臂驱动、以及各类需要快速开关的负载开关和继电器驱动电路。其表面贴装封装也使其能够适应高密度PCB布局的现代电子设备设计需求。

  • 型号:STSR30D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:低端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:4V ~ 5.5V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):40ns,40ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取STSR30D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STSR30D是意法半导体生产的一款单通道低端栅极驱动器,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于高效驱动N沟道MOSFET,其供电电压范围为4V至5.5V,并能在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作。

其核心性能体现在高速开关能力上,具备对称的1.5A峰值拉电流和灌电流输出,以及典型的40ns上升与下降时间,可显著优化功率开关管的开关轨迹,降低开关损耗。非反相的输入逻辑使其易于与微控制器或PWM信号接口,适用于要求高效率和高可靠性的电源管理与电机控制应用。

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