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STTH1002CSF

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
原厂封装:封装:TO-277A(SMPC)
优势价格,STTH1002CSF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH1002CSF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH1002CSF是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用TO-277(3-PowerDFN)表面贴装封装的双通道超快恢复整流二极管。该器件采用1对共阴极配置,集成了两个独立的5A整流单元,其核心架构基于优化的半导体工艺,旨在实现极低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)。这种设计有效降低了开关过程中的功率损耗和电磁干扰(EMI),使其成为高效率功率转换电路中的关键元件。

该二极管具备出色的电气特性,其最大反向重复电压(Vrrm)为200V,能够满足多数中压应用场景的耐压需求。在正向导通方面,其在5A额定电流下的典型正向压降(Vf)仅为1.05V,这有助于减少导通损耗,提升系统整体效率。其最显著的技术优势在于超快的开关速度,反向恢复时间(trr)典型值仅为35纳秒,属于快速恢复二极管范畴。这一特性使其在高频开关电源、功率因数校正(PFC)电路以及逆变器等需要快速换流的拓扑中表现优异,能显著降低开关噪声并提升工作频率上限。

在接口与参数层面,该器件采用紧凑的TO-277封装,符合ECOPACK2环保标准,具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产。其工作结温高达175°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。此外,在200V反向电压下,其反向漏电流(Ir)典型值低至4A,体现了优良的阻断特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ST中国代理获取产品、样片及详细的设计资源。

基于其双通道共阴极、高耐压、低Vf和超快恢复的综合特性,STTH1002CSF非常适用于需要紧凑布局和高效率的现代电源设计。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、不间断电源(UPS)、电机驱动逆变器的续流或钳位电路,以及车载充电器(OBC)等汽车电子领域。其表面贴装形式也使其成为空间受限的消费电子和工业设备中功率密度优化方案的理想选择。

  • 型号:STTH1002CSF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-277A(SMPC)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY GP 200V 5A TO277A
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN
  • 供应商器件封装:TO-277A(SMPC)
  • 想获取STTH1002CSF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH1002CSF是意法半导体生产的一款采用表面贴装TO-277封装的双通道超快恢复整流二极管。该器件集成了两个采用共阴极连接的5A整流单元,最大反向电压为200V,在额定电流下正向压降仅为1.05V,有效降低了导通损耗。

其核心性能优势在于极快的开关特性,反向恢复时间典型值低至35ns,属于快速恢复二极管。这一特性使其能够显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。结合其高达175°C的工作结温与低至4A@200V的反向漏电流,该器件为要求高效率、高可靠性的紧凑型电源与电机驱动设计提供了优化的解决方案。

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