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STTH1R06A

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 600V 1A SMA
原厂封装:封装:SMA
优势价格,STTH1R06A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH1R06A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH1R06A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用SMA封装的标准快速恢复整流二极管。该器件基于优化的平面硅半导体工艺制造,其核心架构旨在实现高反向电压与快速开关特性的平衡。内部PN结经过特殊设计,结合了精确的掺杂和钝化技术,确保了在高达600V的反向电压下仍能保持稳定的电气隔离和可靠的阻断能力。这种结构设计有效控制了结电容和载流子寿命,为实现快速反向恢复奠定了物理基础。

在功能特性上,该二极管展现了出色的性能组合。其最大反向重复电压(VRRM)高达600V,为电路提供了宽裕的电压裕量,增强了系统在电压尖峰或浪涌情况下的鲁棒性。在1A正向电流下的典型正向压降(VF)仅为1.7V,这有助于降低导通损耗,提升整体能效。尤为关键的是其快速恢复特性,典型反向恢复时间(trr)为45纳秒,这使其能够胜任高频开关应用,有效减少开关过程中的反向恢复电流和由此产生的开关损耗及电磁干扰(EMI)。

该器件的接口形式为标准的两引脚表面贴装(SMT),封装为DO-214AC(SMA),便于自动化生产并节省PCB空间。其电气参数表现均衡,在额定600V反向电压下,反向漏电流典型值低至1A,体现了良好的高温反向阻断特性。其快速恢复速度(≤500ns)与高达1A的平均整流电流能力,使其在紧凑型设计中也能处理可观的功率。对于需要可靠供货与技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的产品资料、样品及批量采购服务。

基于其高耐压、低导通损耗和快速开关的综合优势,STTH1R06A非常适合应用于要求高效率和高可靠性的场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流、功率因数校正(PFC)电路、高频逆变器、LED驱动电源以及各类工业设备的辅助电源模块。在这些应用中,它能够有效提升电源转换效率,减小磁性元件尺寸,并有助于满足日益严格的能效标准和EMC要求。

  • 型号:STTH1R06A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMA
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 1A SMA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):45 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装:SMA
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH1R06A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH1R06A是ST意法半导体生产的一款表面贴装(SMA封装)通用快速恢复整流二极管。该器件核心规格为600V最大反向电压与1A平均整流电流,在1A正向电流下的典型正向压降为1.7V,实现了低导通损耗与高耐压能力的结合。

其关键特性在于优异的开关性能,典型反向恢复时间仅为45ns,属于快速恢复二极管范畴。这一特性使其能够有效应用于高频开关电路中,显著降低开关损耗和电磁干扰。此外,其在600V反向电压下的漏电流低至1A,确保了高温环境下工作的稳定性,适用于对效率和可靠性有较高要求的电源设计与工业控制领域。

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