STTH4R02

STTH4R02是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款通用快速恢复整流二极管，采用经典的DO-201AB轴向封装，适用于通孔安装。该器件在200V的最大反向电压（Vr）下，能够提供高达4A的平均整流电流（Io），其正向压降（Vf）在额定4A电流下典型值为1.05V，确保了在中等功率应用中的高效能表现。其核心优势在于快速恢复特性，反向恢复时间（trr）仅为30ns，这使其在开关频率较高的电路中能有效减少开关损耗和电磁干扰，提升系统整体效率。

该二极管属于标准类型，其快速恢复速度（≤500ns）使其在处理高频交流成分时表现优异。在反向特性方面，其在最大反向电压200V下的反向漏电流（Ir）仅为3A，展现了出色的阻断能力和低功耗特性。虽然该产品系列已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场或特定设计中仍有应用价值。对于需要此类器件的设计，可以通过正规的ST授权代理渠道获取库存或替代方案咨询。

从接口和参数角度看，200V的反向耐压与4A的整流电流组合，使其非常适合作为交流侧整流或直流侧续流元件。其30ns的极短反向恢复时间是关键性能指标，显著优于普通整流二极管，能有效抑制因载流子存储效应导致的反向电流尖峰。轴向DO-201AB封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在PCB上进行布局和通过自然对流或传导散热。

在应用场景上，STTH4R02主要面向需要高效率和高可靠性的功率电子领域。它常见于开关模式电源（SMPS）的初级侧整流或次级侧输出整流，特别是在反激式、正激式等拓扑中。此外，它也适用于不间断电源（UPS）、电机驱动电路的缓冲或续流回路、以及工业控制设备中的通用整流场合。其快速恢复特性使其能在频率达数十千赫兹的硬开关环境中稳定工作，减少开关噪声，提升电源的功率密度和电磁兼容性（EMC）表现。

• 型号:STTH4R02
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-201AB
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 200V 4A DO201AB
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 4 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-201AB，DO-32，轴向
• 供应商器件封装:DO-201AB
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 想获取STTH4R02的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH4R02是ST意法半导体生产的一款轴向封装通用快速恢复整流二极管。其核心电气参数为200V最大反向耐压与4A平均整流电流，在4A电流下的典型正向压降为1.05V，平衡了导通损耗与效率。

该器件的关键卖点在于其快速开关性能，反向恢复时间低至30ns，能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。其反向漏电流在额定电压下仅为3A，确保了优异的阻断特性。DO-201AB通孔封装提供了稳固的机械连接与散热路径。