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STTH506TTI

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,STTH506TTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH506TTI的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH506TTI是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用TO-220AB封装的高压快速恢复整流二极管阵列。该器件内部集成了两个串联配置的标准整流二极管,构成了一个紧凑的“1对串联”阵列结构。这种集成化设计不仅优化了PCB空间布局,减少了分立元件数量,还通过在同一硅片上制造两个二极管,确保了器件参数的高度匹配性和温度特性的一致性,从而提升了系统在高压环境下的整体可靠性。

该芯片的核心性能体现在其高压与快速恢复特性的平衡上。它能够承受高达600V的最大直流反向电压,并在每只二极管上提供5A的平均整流电流。其正向压降在5A电流条件下典型值为3.6V,实现了较低的导通损耗。尤为关键的是,其反向恢复时间(trr)仅为25ns,属于快速恢复类型,这使其能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和反向恢复电流,显著降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,在600V反向电压下,其反向漏电流低至6A,体现了出色的关断特性。对于需要技术支持与稳定供应的用户,可以咨询ST中国代理获取详细的产品资料和库存信息。

在电气接口与热管理方面,STTH506TTI采用经典的三引脚TO-220通孔封装,便于安装散热器以应对大电流工作产生的热量。其最高结温可达150°C,提供了宽裕的热设计余量,确保器件在严苛环境下稳定运行。这些参数共同指向了对效率、可靠性和功率密度有较高要求的应用场景。

基于其技术规格,该器件非常适合用于开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路、高频逆变器、UPS(不间断电源)以及电机驱动等领域的整流和续流环节。其快速恢复特性使其能在高频开关电路中高效工作,而600V的耐压等级则使其能从容应对电网波动和感性负载产生的电压应力。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

  • 型号:STTH506TTI
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:1 对串行连接
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.6 V @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6 A @ 600 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取STTH506TTI的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH506TTI是ST意法半导体生产的一款通用型快速恢复整流二极管阵列,采用TO-220AB通孔封装。该器件集成了两个串联的整流二极管,核心卖点在于其600V的高反向耐压5A的平均整流电流能力,同时具备仅25ns的快速反向恢复时间,能有效提升高频开关电路的效率并抑制噪声。

其正向压降为3.6V @ 5A,反向漏电流低至6A @ 600V,在导通损耗与关断特性间取得了良好平衡。最高150°C的结温使其具备较强的热可靠性。这款二极管阵列主要面向需要高压、高效整流的工业与电源应用。

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