STTH803G-TR

STTH803G-TR是ST意法半导体推出的一款通用型快速恢复整流二极管，采用先进的硅半导体工艺制造。该器件内部集成了一个高性能的PN结，其核心架构旨在实现低功耗与高效率的平衡，通过优化的掺杂和结终端设计，确保了在高压、大电流工作条件下的稳定性和可靠性。其芯片被封装在具有优异热性能的DPak封装内，这种结构不仅提供了良好的机械强度，其金属引线框架和裸露的焊盘也极大地提升了散热能力，使得芯片产生的热量能够快速传导至PCB或散热器上。

在电气性能方面，这款二极管展现出显著的优势。其最大反向重复电压高达300V，能够承受较高的反向电压应力，适用于多种离线式电源环境。在正向导通时，即便在8A的额定平均整流电流下，其典型正向压降也仅为1.25V，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率。快速恢复特性是其关键亮点之一，反向恢复时间（trr）典型值仅为35纳秒，这使其在开关频率较高的电路中，如开关模式电源（SMPS）的续流或整流位置，能够有效减少开关损耗和由反向恢复电流引起的电磁干扰（EMI）。此外，在300V反向电压下，其反向漏电流典型值低至20A，体现了出色的反向阻断能力。

该器件采用表面贴装型（SMD）的D2PAK封装，具体为TO-263-3变体。这种封装形式兼容自动化贴装生产，其三个引脚（阳极、阴极）以及背面的大面积金属焊盘（通常作为阴极并用于散热）构成了主要的电气与热学接口。对于需要采购正品元器件的用户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取，以确保产品质量和供货稳定性。其紧凑的封装尺寸与强大的电流处理能力相结合，使其成为空间受限但功率需求较高的应用的理想选择。

基于其300V/8A的额定值和快速的开关速度，STTH803G-TR非常适合应用于工业级和消费电子领域的功率转换场景。典型应用包括开关电源（SMPS）中的输出整流、功率因数校正（PFC）电路、逆变器以及电机驱动电路中的续流二极管。其稳健的性能使其能够胜任反激式、正激式等拓扑结构中的高频整流工作，在空调、工业电源、电焊机、不间断电源（UPS）以及各类适配器中都能找到其用武之地，为系统提供高效、可靠的整流解决方案。

• 型号:STTH803G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 300V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:300 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):35 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 300 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STTH803G-TR是STMicroelectronics生产的一款表面贴装、通用型快速恢复整流二极管。该器件核心规格为300V最大反向电压与8A平均整流电流，在8A电流下的典型正向压降为1.25V，实现了低导通损耗。

其关键性能优势在于快速的开关特性，反向恢复时间典型值仅为35ns，这使其在高频开关电源应用中能显著降低开关损耗和噪声。同时，在300V反向电压下，其反向漏电流低至20A，确保了高效的反向阻断能力。器件采用TO-263-3 (D2PAK)封装，提供了优异的功率处理能力和散热性能。