STTH806G-TR

STTH806G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能通用整流二极管，采用先进的快速恢复技术，专为要求高效率和高可靠性的功率转换应用而设计。该器件采用TO-263-3（DPak）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产并优化PCB空间布局。

其核心架构基于优化的硅片设计和封装工艺，实现了低正向压降与快速恢复特性的优异平衡。在8A的额定平均整流电流下，正向压降典型值仅为1.85V，这有助于显著降低导通损耗，提升系统整体能效。同时，其反向恢复时间（trr）典型值仅为55ns，属于快速恢复二极管范畴，能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。

该二极管具备600V的高反向重复峰值电压，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动下的可靠性。其反向漏电流在600V反向电压下典型值低至8A，体现了出色的反向阻断能力，有助于降低待机功耗。其快速恢复特性（≤500ns）使其能胜任较高频率的开关工作，与MOSFET或IGBT等主动开关器件协同工作时，能有效提升开关电源的效率和功率密度。

在接口与参数方面，8A的平均整流电流和600V的耐压构成了其核心的功率处理能力。DPak封装自带金属散热片，可直接焊接在PCB的铜箔上或通过绝缘垫片安装到散热器，提供了卓越的散热路径，确保器件在高负载下稳定工作。用户可通过ST中国代理获取详细的技术资料、样品及批量采购支持。

该器件典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的次级整流、续流二极管，以及不间断电源（UPS）、工业电机驱动、焊接设备和照明镇流器中的整流与缓冲电路。其快速恢复特性和高耐压使其尤其适用于功率因数校正（PFC）升压二极管等对效率和开关速度有严格要求的场合，是工程师设计高效、紧凑型功率电子系统的可靠选择。

• 型号:STTH806G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 600V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.85 V @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):55 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8 A @ 600 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 想获取STTH806G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH806G-TR是一款由ST意法半导体制造的600V、8A通用整流二极管，采用D2PAK（TO-263-3）表面贴装封装。其核心特性在于实现了低导通损耗与快速开关性能的优化组合。

该器件在8A电流下的正向压降仅为1.85V，有助于降低导通功耗。其快速恢复时间典型值为55ns，能有效减少开关损耗和电磁干扰，适用于较高频率的开关电源应用。高达600V的反向耐压和低至8A的反向漏电流，确保了其在严苛工况下的高可靠性和低待机功耗。