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STTH810DI

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 1000V 8A TO220INS
原厂封装:封装:TO-220Ins
优势价格,STTH810DI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH810DI的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH810DI是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能通用整流二极管,采用TO-220AB绝缘封装,专为要求高电压、大电流和快速开关特性的应用而设计。其核心架构基于优化的平面技术,确保了在高达1000V的反向电压和8A平均整流电流下,仍能保持出色的电气性能和可靠性。该器件内部集成了单颗高性能PN结,通过先进的工艺控制实现了极低的正向压降和反向漏电流,有效降低了导通损耗和静态功耗,提升了整体能效。

该二极管的功能特点突出,其快速恢复特性是关键优势之一,反向恢复时间(trr)典型值仅为85ns,属于快速恢复二极管范畴。这一特性使其在开关频率较高的电路中,能够显著降低开关损耗和电磁干扰(EMI),提升系统效率。其正向压降(Vf)在8A额定电流下仅为2V,表现出优异的导通特性,有助于减少热耗散。同时,在1000V的最大反向电压下,反向漏电流低至5A,确保了在高压关断状态下极低的功率损耗和高阻态稳定性。

在接口与参数方面,STTH810DI提供了清晰的电气边界。其标准TO-220Ins封装不仅便于通孔安装,还提供了良好的绝缘性和散热能力,简化了PCB设计和热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得原装正品和完整的供应链服务。该器件的工作温度范围宽,适用于工业级环境,其稳健的设计能够承受较高的浪涌电流,增强了在恶劣条件下的耐用性。

基于其高耐压、大电流和快速恢复的综合性能,STTH810DI非常适合应用于开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及工业焊接设备等场景。在这些应用中,它常被用作输出整流、续流或缓冲二极管,其快速开关能力有助于提升电源转换效率,而高可靠性则确保了系统长期稳定运行,是工程师在设计和优化中高功率电力电子系统时的可靠选择。

  • 型号:STTH810DI
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220Ins
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 1000V 8A TO220INS
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2 V @ 8 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):85 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1000 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220Ins
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH810DI的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH810DI是ST意法半导体生产的一款通用整流二极管,采用TO-220AB绝缘封装。其核心卖点在于高达1000V的反向耐压8A的平均整流电流能力,结合快速恢复特性(反向恢复时间典型值85ns),使其能够高效处理中高功率应用中的开关动作。

该器件在8A额定电流下的正向压降仅为2V,有助于降低导通损耗,同时在额定高压下的反向漏电流极低(5A @ 1000V),确保了优异的关断性能。这些参数使其成为要求高效率、低损耗的开关电源、逆变器和电机驱动等电力电子系统的理想整流解决方案。

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