STU13N60M2

STU13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计目标是在600V的高压应用中实现高效率与低损耗的平衡，内部集成的快速体二极管进一步提升了其在开关应用中的反向恢复性能。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大导通电阻在10V驱动电压、5.5A电流条件下仅为380毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC，结合580pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，能够实现快速的开关切换，减少开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，STU13N60M2的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达11A，最大功率耗散为110W，确保了其在持续高功率工作下的可靠性。其漏源击穿电压（Vdss）为600V，为离线式开关电源等高压应用提供了充足的安全裕量。器件采用标准的IPAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB板上进行安装和散热管理，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些场景中，它能有效提升电源的功率密度和转换效率，是工程师设计高效、紧凑型高压功率电路的优选器件之一。

• 型号:STU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，能够在高压条件下实现高效的功率传输与低导通损耗。

器件在25°C壳温下的连续漏极电流为11A，最大功率耗散达110W，确保了强大的电流处理能力与热性能。其优化的动态特性，如最大17nC的栅极电荷（Qg）和580pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。IPAK（TO-251）通孔封装和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应工业级应用的可靠性要求。