STU13N65M2

STU13N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，结合仅430毫欧（@5A, 10V）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的通态损耗。其栅极电荷（Qg）典型值较低，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化系统设计并降低成本。对于需要技术支持与供货保障的设计团队，可以通过官方授权的ST代理商获取详细的技术资料与供应链支持。

在电气参数方面，STU13N65M2的标准驱动电压（Vgs）为10V，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件的输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现更快的开关速度。其封装采用通孔形式的IPAK（TO-251），这种封装具有良好的机械强度和散热能力，最大功率耗散可达110W（Tc），结温（Tj）最高支持150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它仍然是构建高效、紧凑型功率转换解决方案的一个经典且经过验证的选择。

• 型号:STU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU13N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，核心电气规格包括650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在低损耗特性上：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为430毫欧，同时栅极电荷（Qg）也保持在较低水平。这些参数共同作用，旨在有效降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体能效。该器件设计工作结温高达150°C，适用于对可靠性要求较高的工业级功率转换领域。