STU16N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STU16N65M5是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，通过优化的单元结构和垂直导电设计，在650V的漏源电压（Vdss）等级下，有效降低了寄生电容和栅极电荷，从而提升了开关性能。该器件采用通孔式I-PAK封装，为功率转换应用提供了坚固可靠的物理基础。

在功能特性方面，该器件展现出显著的优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为299毫欧，这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，并有助于实现更高的开关频率，减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

从电气参数来看，STU16N65M5在壳温（Tc）条件下可支持高达12A的连续漏极电流，最大功率耗散为90W，结合其150°C的最高结温（TJ），确保了在严苛热环境下的稳定工作能力。其阈值电压Vgs(th)最大为5V（@250A），具备良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在100V偏置下最大为1250pF，这一参数与Qg共同决定了器件的开关速度与驱动需求。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料与支持。

基于其650V的高压耐受能力和高效的开关特性，这款MOSFET非常适用于要求高可靠性与高效率的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动等应用场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它仍然是一个经过市场验证的高性能选择，其技术特性代表了MDmesh V系列在高压功率管理领域的工程设计水平。

• 型号:STU16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU16N65M5是STMicroelectronics推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术制造。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻的出色结合，在10V Vgs、6A Id条件下，Rds(on)最大值仅为299毫欧，有效降低了导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值被优化至45nC（@10V），配合较低的输入电容，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持12A连续电流和90W功率耗散，最高结温达150°C，为开关电源、PFC及工业驱动等高压应用提供了高效可靠的解决方案。