STU27N3LH5

STU27N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过改进的沟槽栅极工艺，显著降低了传导损耗和开关损耗，为电源转换和电机控制应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与快速开关能力。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至20毫欧（测试条件：13.5A），这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统整体效率。同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为4.6nC @ 5V，意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更高的开关频率，从而允许使用更小体积的磁性元件和电容。其栅源电压（V_GS）阈值典型值较低，确保了在逻辑电平驱动下的良好导通性，而高达±22V的V_GS最大额定值提供了较强的抗栅极噪声能力。

在电气参数方面，STU27N3LH5额定漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达27A，最大功率耗散为30W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。较低的输入电容（C_iss）有助于减少开关过程中的米勒效应，进一步提升动态性能。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障元器件质量和供货稳定性的重要途径。

凭借这些特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、低压电机驱动控制（如无人机电调、小型机器人）、电池保护电路以及各类低压大电流的电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在现有系统的维护或特定批量化设计中仍具参考价值。

• 型号:STU27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V V_GS下R_DS(on)最大值为20mΩ，在5V V_GS下Qg最大值仅为4.6nC，这共同确保了出色的传导效率和快速的开关性能。

其电气规格坚实可靠，额定电压30V，在壳温条件下可持续承受27A电流，最大功耗30W。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能适应严苛环境。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如高效率DC-DC转换、电机驱动及电源路径管理。