STU4N52K3

STU4N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺技术，旨在提供卓越的高压开关性能。其核心架构通过优化的单元设计和沟道技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这一特性对于提升系统效率至关重要。

该芯片的显著功能特点是其525V的高漏源击穿电压（V_DSS）与低至2.6欧姆的导通电阻（在1.25A，10V条件下）的出色组合。得益于SuperMESH3技术，它在高电压下实现了更低的开关损耗和传导损耗。其栅极电荷（Q_g）典型值仅为11nC（@10V），结合334pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并提升整体开关频率。

在接口与电气参数方面，STU4N52K3设计为N沟道增强型MOSFET，采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的散热和机械强度。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下额定为2.5A，最大栅源电压（V_GS）范围为±30V，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，这为可靠的导通与关断控制提供了宽裕的安全裕度。器件最大功耗为45W（T_C），结温（T_J）最高可工作至150°C，展现了其坚固的鲁棒性。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的推荐途径。

凭借其高压、低损耗的特性，STU4N52K3非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等场景。其平衡的性能参数使其成为中低功率高压开关应用的理想选择。

• 型号:STU4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU4N52K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的低导通电阻特性，在高压应用中能有效降低传导损耗。

其技术参数针对高效开关进行了优化，包括较低的栅极电荷（典型11nC @10V）和输入电容，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持2.5A的连续漏极电流和45W的功率耗散，结温最高可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。