STU5N62K3

意法半导体推出的STU5N62K3是一款采用先进SuperMESH3技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过创新的单元结构和工艺改进，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g）。这种核心架构的平衡优化，使得器件在开关速度、导通损耗和抗雪崩能力之间取得了卓越的性能折衷，尤其适用于对效率和可靠性要求严苛的中等功率开关应用。

在电气特性方面，该器件具备620V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量以应对线路浪涌和感性关断尖峰。其导通电阻在10V栅极驱动电压、2.1A漏极电流条件下典型值仅为1.6欧姆，配合仅26nC（@10V）的低栅极总电荷，共同确保了极低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力和与主流控制器直接兼容的驱动便利性。

该MOSFET采用标准的I-PAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB上进行安装和散热管理。其在壳温（T_C）条件下连续漏极电流额定值为4.2A，最大功率耗散为70W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在恶劣环境下的稳定运行。输入电容（C_iss）在50V漏源电压下最大为680pF，结合低栅极电荷特性，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关振铃。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和坚固耐用的特性，STU5N62K3非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制、照明镇流器以及各种AC-DC转换器中的高压开关应用。它在要求高能效和紧凑设计的现代电源解决方案中，能够有效提升功率密度并降低系统热设计难度。

• 型号:STU5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU5N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压额定值与1.6欧姆的低导通电阻相结合，并具备低至26nC的栅极电荷，这使其在高压开关应用中能同时实现低导通损耗和高频开关性能。

其4.2A的连续漏极电流能力和70W的功率耗散为中等功率应用提供了充足的余量。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等应用中高效、紧凑的高压开关解决方案的理想选择。