STU6N62K3

STU6N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和第三代SuperMESH技术，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和瞬态电压下的可靠性。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为5.5A，结合仅1.2Ω（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性同样优异，最大栅源阈值电压（V_GS(th)）为4.5V，标准驱动电压为10V，最大栅极电荷（Q_G）低至30nC，这有助于简化驱动电路设计并降低开关过程中的驱动损耗。

在接口与关键参数方面，器件采用坚固的I-PAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB上安装并提供良好的散热路径。其最大允许栅源电压（V_GS）为±30V，增强了栅极的抗干扰能力。输入电容（C_iss）典型值较低，有利于实现更快的开关速度。该器件在壳温下最大功率耗散为90W，最高结温（T_J）可达150°C，展现了良好的热性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

STU6N62K3主要面向需要高效、高可靠性的中功率开关应用场景。它是反激式、正激式等离线电源转换器中主开关管的理想选择，适用于PC电源、适配器、LED驱动电源等消费类和工业类产品。此外，其高耐压和良好的开关特性也使其适用于功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及各种需要电子开关的功率控制模块中。

• 型号:STU6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU6N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）与5.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为设计提供了宽裕的安全工作区间。

其技术亮点在于通过第三代SuperMESH技术实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.2Ω，同时栅极电荷（Q_G）被控制在30nC的低水平。这种特性组合有效降低了传导与开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。该器件支持高达150°C的结温工作，并采用标准通孔封装，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关应用。