STU75N3LLH6-S

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STU75N3LLH6-S是一款采用N沟道设计的功率MOSFET，隶属于其先进的DeepGATE和STripFET VI产品系列。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，专为高效率、高功率密度的应用而优化。其核心架构基于意法半导体成熟的沟槽栅技术，通过优化的单元结构和先进的制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）和出色的开关性能，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）额定值高达75A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压（V_GS）和37.5A漏极电流条件下，典型值仅为5.9毫欧，这一低R_DS(on)特性是提升系统整体效率的关键。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，结合最大17nC（@4.5V）的低栅极电荷（Q_g），使得器件易于驱动，并能实现快速开关，有助于减少开关过程中的损耗。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极保护能力。

在接口与参数方面，STU75N3LLH6-S的输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大为1690pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了其动态开关特性。器件的最大功耗为60W（Tc），其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的相关服务与库存信息。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流DC-DC转换器、高电流负载的电机驱动控制、以及各类低压大电流的电源管理系统。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的核心组件。

• 型号:STU75N3LLH6-S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU75N3LLH6-S是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装，属于其高性能的DeepGATE和STripFET VI产品系列。该器件设计用于低压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通损耗和出色的开关性能。

其关键参数包括30V的漏源电压（V_DSS）和高达75A（Tc）的连续漏极电流（I_D）处理能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为5.9毫欧（@37.5A），配合最大17nC的低栅极电荷（Q_g），有效提升了电源转换效率并降低了开关损耗。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在各种环境下的可靠性。