STU7LN80K5

STU7LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的能效与可靠性。其核心架构通过精心设计的单元布局和先进的工艺技术，在800V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低高频开关应用中的导通损耗和开关损耗至关重要。

该器件具备多项关键电气特性。其800V的击穿电压使其能够从容应对工业电源、照明等场合中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合高达85W（Tc）的功率耗散能力，确保了在持续高功率运行下的稳定性。其导通电阻在10V驱动电压、2.5A测试条件下典型值仅为1.15欧姆，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，极低的栅极电荷（典型12nC @ 10V）和输入电容（典型270pF @ 100V）显著降低了驱动电路的负担，提升了开关速度，使得系统能够工作在更高的频率，从而有可能减小外围磁性元件的体积和成本。

在接口与参数方面，STU7LN80K5采用标准的10V驱动电压，栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了宽裕的设计余量。其阈值电压Vgs(th)最大为5V，具有良好的噪声抑制能力。该器件采用通孔安装的IPAK（TO-251）封装，这种封装形式在功率密度、散热性能和装配便利性之间取得了良好折衷，便于在各类PCB板上进行焊接和散热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，STU7LN80K5非常适用于需要高压开关和功率转换的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、LED照明驱动电源、工业电机驱动辅助电源以及家用电器中的功率控制模块。在这些场景中，它能够帮助系统设计师实现更高的能效等级、更紧凑的尺寸以及更稳健的系统性能。

• 型号:STU7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU7LN80K5是意法半导体推出的一款N沟道800V/5A功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，专为要求高电压耐受能力和高效开关性能的应用而设计。

其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与1.15欧姆（@10V， 2.5A）的低导通电阻（Rds(on)）的结合，有效降低了导通损耗。同时，12nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）和270pF（@100V）的输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并提供85W（Tc）的功率处理能力，保障了在苛刻环境下的稳定运行。