STU7N60M2

STU7N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合最大仅950毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为2.5A，10V Vgs），确保了在导通期间具有较低的通态损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值仅为8.8nC，这有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，对于高频开关应用尤为有利。

在电气参数方面，STU7N60M2的输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为271pF，与较低的Qg共同贡献了优异的动态性能。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其封装采用标准的通孔I-PAK（TO-251）形式，具有良好的散热性能和机械强度，最大功率耗散能力为60W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求苛刻的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其稳健的性能，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的PFC电路和主开关、照明镇流器、电机控制逆变器以及辅助电源等场景。其高耐压特性使其能直接用于整流后的高压母线，而良好的开关特性则有助于设计出更高频率、更高功率密度的电源模块，是工程师在开发高效能、高可靠性功率电子设备时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STU7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU7N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用先进的平面技术实现了低至950毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。

其设计注重动态性能与可靠性，最大栅极电荷（Qg）仅为8.8nC，有利于实现高速开关并简化驱动设计。器件采用通孔式I-PAK封装，最大功率耗散达60W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业控制等领域中高效功率转换方案的理想选择。