STU7NF25

STU7NF25是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为在中等功率应用中实现高效率与高可靠性而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过先进的沟槽栅工艺，在保证高击穿电压的同时，显著降低了传导损耗，为开关电源和电机控制等应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其250V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对反激式拓扑中的电压应力。在25°C壳温下，连续漏极电流（I_D）额定值高达8A，结合420mΩ（典型值@10V V_GS, 4A I_D）的低导通电阻，确保了在导通期间极低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，而最大栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了较宽的噪声容限和驱动灵活性。此外，较低的栅极电荷（Q_g，最大值16nC @ 10V）和输入电容（C_iss，最大值500pF @ 25V）共同作用，有效降低了开关损耗，提升了高频开关性能。

在接口与热管理方面，STU7NF25采用标准的三引脚I-PAK通孔封装，便于在单面PCB上进行可靠的焊接和散热设计。其最大功率耗散能力为72W（壳温T_C），结合宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），使其能够在苛刻的环境下稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的规格书、样品以及应用设计指导。

得益于其优异的电气参数和稳健的封装，STU7NF25非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。其主要应用领域包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器，以及低压电机驱动、逆变器和电子镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，并保证长期运行的可靠性。

• 型号:STU7NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU7NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其250V的漏源电压（V_DSS）和8A的连续漏极电流（I_D）能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。器件具备极低的导通电阻（R_DS(on)）以及优化的栅极电荷（Q_g），这有助于降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。