STU8N80K5

STU8N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），这为其在离线式开关电源等存在电压尖峰的应用中提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为6A，最大功耗可达110W，展现了良好的功率处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为950毫欧，较低的R_DS(on)直接转化为更低的通态损耗。同时，其栅极总电荷（Q_G）最大值仅为16.5nC（@10V），结合450pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的开关能量较小，有利于实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。

在电气接口与参数方面，STU8N80K5采用标准的10V栅极驱动电压以获得最佳导通性能，其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。栅源电压（V_GS）可承受±30V的最大值，为驱动设计提供了灵活性。器件采用通孔安装的TO-251（IPAK）封装，这是一种在中小功率应用中广泛使用的封装形式，具有良好的机械强度和散热特性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品及供货支持。

得益于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，该MOSFET非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动辅助电源等场景。在反激式、正激式等拓扑结构中，它能有效提升电源的功率密度和效率。对于设计工程师而言，选择这款器件意味着在系统效率、可靠性和成本之间获得了一个经过市场验证的优化解决方案。

• 型号:STU8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源电压（V_DSS）和6A的连续漏极电流（I_D）能力，为离线式功率应用提供了坚实的电压和电流基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：导通电阻（R_DS(on)）低至950毫欧（@10V，3A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Q_G）最大值仅为16.5nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。TO-251封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了其在各种环境下的可靠性与易用性。