STU8NM50N

STU8NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直型DMOS结构，其核心设计旨在优化高压开关应用中的导通损耗与开关性能的平衡。通过精密的单元布局和优化的掺杂工艺，该芯片在维持高击穿电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），为高效能量转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和5A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够从容应对离线式电源中的高压应力。其关键特性在于极低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），在10V栅极驱动电压下，最大栅极电荷仅为14nC，输入电容为364pF。这一特性直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。同时，其导通电阻在2.5A电流、10V驱动下最大值为790mΩ，确保了在导通状态下的功耗得到有效控制。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫性，而±25V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在接口与热参数方面，该器件采用标准的通孔安装I-PAK封装，便于在PCB上进行可靠的机械和电气连接。其最大功耗为45W（基于壳温），结合高达150°C的最大结温（T_J），赋予了其稳健的热性能。对于需要可靠元件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取详细的产品规格与技术支持。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案。

基于其高压、低栅极电荷和良好的热特性，STU8NM50N非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动中的辅助电源部分。在这些场景中，它能够有效提升系统整体能效，并简化热管理设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续型号提供了重要参考。

• 型号:STU8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU8NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和5A连续漏极电流（I_D），采用通孔式I-PAK封装。

其技术优势主要体现在为高压开关应用优化的动态特性上。器件具备较低的导通电阻（R_DS(on)）以及关键的低栅极电荷（Q_g），这有助于显著降低开关损耗，提升系统在高频工作下的效率。同时，其宽泛的工作结温（最高150°C）和45W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。