STU90N4F3

STU90N4F3是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的沟槽栅极结构，显著降低了单位面积下的Rds(On)，从而在紧凑的封装内实现了高达80A的连续漏极电流承载能力。这种设计确保了在开关和线性工作模式下均能提供优异的电气性能和热稳定性。

在功能特性方面，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通损耗。在10V驱动电压和40A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为6.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在54nC，结合2200pF的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关损耗。器件具备宽泛的工作温度范围，结温最高可达175°C，并能在-55°C的低温下启动，确保了在恶劣环境下的可靠运行。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

接口与电气参数定义了其应用边界。该器件额定漏源电压Vdss为40V，栅源电压Vgs可承受±20V，为驱动设计提供了充足的裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。在热管理方面，器件在壳温条件下最大功率耗散为110W，要求在设计时充分考虑散热路径。这些参数共同描绘出一个适用于中压、大电流场景的稳健开关器件形象。

基于其技术特性，STU90N4F3非常适用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理系统，尤其是在电动工具、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为同步整流和负载开关应用的理想选择，能够有效降低系统能耗，提升功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其代表的技术方案和设计思路对于理解同类功率器件的选型与评估仍具有重要参考价值。

• 型号:STU90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU90N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。

其关键电气参数定义了强大的性能：40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流，使其能够胜任大功率开关任务。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至6.5毫欧（@40A），配合仅54nC的栅极电荷，共同确保了高效率的功率转换与快速的开关响应。这些特性使其成为电机驱动、电源转换和负载管理等应用的可靠解决方案。