STU95N4F3

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STU95N4F3是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。其核心架构基于先进的MOSFET（金属氧化物）技术，旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，为需要高可靠性和散热能力的应用提供了坚固的物理基础。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在开关应用中实现较低的传导损耗和开关损耗。

该器件的一个突出功能特点是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A漏极电流条件下，最大值仅为6.5毫欧。这一特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在54nC @ 10V，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。结合高达80A（Tc）的连续漏极电流能力和40V的漏源电压（Vdss）额定值，使其能够处理可观的功率等级。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

在电气接口与参数方面，STU95N4F3的栅极驱动电压（Vgs）最大值为±20V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，提供了明确的开关逻辑电平与足够的噪声容限。其输入电容（Ciss）最大值为2200pF @ 25V，是评估开关动态性能的重要参数。最大功率耗散为110W（Tc），用户在设计散热方案时需要重点考虑。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品来源可靠性和获得后续服务保障的关键途径。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应评估替代方案或库存可用性。

基于其参数特性，STU95N4F3非常适合应用于对效率和电流处理能力有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的功率开关部分。其设计能够有效降低系统热损耗，提升整体能效，尤其适合空间和散热设计受限但要求高功率密度的场合。

• 型号:STU95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU95N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其优异的电气性能平衡，旨在为功率开关应用提供高效的解决方案。

其技术参数表现突出，具备40V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键特性包括极低的导通电阻（Rds(on)最大值6.5mΩ @ 40A, 10V）以及适中的栅极电荷（Qg最大值54nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和良好的开关性能，有助于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽广，覆盖-55°C至175°C。