STP35NF10

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STP35NF10是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的单元设计和制造工艺，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在各类功率电路板上进行安装和热管理。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的电气参数上。它具备100V的漏源击穿电压（Vdss），为开关应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，当栅源驱动电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）典型值非常低，最大值仅为35毫欧（在17.5A条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计在当时代表了高性能功率开关的解决方案，用户可通过授权的ST代理商咨询库存或替代方案。

在动态特性上，55nC（@10V）的最大栅极总电荷（Qg）与1550pF（@25V）的输入电容（Ciss）共同决定了其开关速度。相对较低的Qg值意味着驱动电路可以更快地完成对栅极的充放电，从而减少开关过渡时间，降低开关损耗，尤其适用于中高频的开关应用。器件允许的栅源电压范围为±20V，为驱动设计提供了灵活性。其结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C到175°C，结合TO-220AB封装在加装散热器后可达115W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境和持续的功率处理需求。

基于其100V/40A的额定值和快速开关能力，STP35NF10非常适合于中等功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器、开关电源（SMPS）的初级或次级侧开关以及各类需要高效功率切换的工业设备中。无论是作为同步整流管、半桥/全桥拓扑中的开关管，还是在有刷/无刷电机驱动H桥中担任角色，其低导通电阻和稳健的封装都能有效提升系统能效和功率密度。

• 型号:STP35NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP35NF10是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心额定参数为100V漏源电压（Vdss）与40A连续漏极电流（Id），专为要求高效率和可靠性的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下，Rds(on)最大值仅为35毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大55nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，优化整体转换效率。尽管该型号目前已停产，但其参数组合包括175°C的最高结温工作和115W的功率耗散能力使其曾是电机驱动、DC-DC转换和开关电源等领域的经典选择之一。