STULED524

STULED524是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装为通孔形式的I-PAK。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡，其525V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力与开关尖峰。

在电气特性方面，该MOSFET在25°C壳温（Tc）条件下可支持高达4A的连续漏极电流，而其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.2A漏极电流条件下典型值仅为2.6欧姆，这一特性对于提升系统效率、降低导通损耗至关重要。其栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），结合340pF（@100V）的输入电容，意味着器件具有较快的开关速度和较低的栅极驱动需求，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

器件的栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（@50A），确保了在逻辑电平驱动下的可靠关断，同时与标准微控制器或驱动IC的输出电平有良好的兼容性。该MOSFET的最大功耗为45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了其宽温域下的稳定工作能力。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

STULED524凭借其525V的高耐压、优化的导通电阻与开关特性以及宽泛的工作温度范围，非常适用于要求严苛的功率转换场景。其典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器、电机驱动逆变器的辅助电源以及工业照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统能效与功率密度，同时保证长期运行的可靠性。

• 制造商产品型号：STULED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STULED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合4A的连续漏极电流能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术参数表现出良好的性能平衡：2.6欧姆的低导通电阻（@10V, 2.2A）有助于降低导通损耗，而12nC的低栅极电荷和340pF的输入电容则有利于实现快速的开关切换，从而优化整体效率。器件支持±30V的宽栅源电压范围，工作结温高达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。