STW10N105K5

STW10N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与高耐压能力的卓越平衡。其核心在于创新的单元结构和栅极设计，有效控制了寄生电容，特别是栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这对于提升高频开关应用中的效率至关重要。通过这种架构，器件在保持高阻断电压的同时，显著降低了导通和开关损耗。

该MOSFET的突出特性体现在其1050V的高漏源击穿电压（Vdss）和1.3欧姆的低导通电阻（最大值，条件为3A，10V）。高耐压使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，提升了系统的可靠性与鲁棒性。低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，有助于提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为21.5nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅简化了栅极驱动设计，还能实现更高频率的开关操作，减少磁性元件的体积和成本。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值为6A，最大功率耗散为130W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以管理热耗散。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借高电压、低损耗和快速开关的优异组合，STW10N105K5非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器、UPS（不间断电源）系统、电机驱动和逆变器平台，以及电焊机和太阳能逆变器等新能源设备。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键组件。

• 型号:STW10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW10N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高效率的功率开关应用，核心优势在于其1050V的高漏源电压（Vdss）额定值与1.3欧姆的低导通电阻（RDS(on)）的出色结合。

其技术参数针对优化开关性能进行了精心设计，最大栅极电荷（Qg）低至21.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用TO-247封装，在25°C壳温下可支持6A的连续电流和130W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境中的稳健性与可靠性。