STW11NB80

STW11NB80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过精细的单元密度控制和创新的沟槽栅极工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时确保了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）等动态参数维持在优异水平，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），提供了坚固的电压裕量，能够有效应对工业环境中常见的电压尖峰和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，结合仅800毫欧（典型值，在10V Vgs和5.5A Id条件下）的最大导通电阻，使得器件在导通期间的功率损耗显著降低。其栅极驱动特性同样突出，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，而总栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC，这有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与封装方面，STW11NB80采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）可达150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为190W。这些参数共同确保了器件在高功率密度应用中的可靠运行。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应保障。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案。

凭借其高电压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换领域。其稳健的性能指标使其成为中高功率AC-DC和DC-AC转换拓扑中开关元件的经典选择之一。

• 型号:STW11NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW11NB80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为800毫欧，同时总栅极电荷（Qg）最大值被控制在70nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其非常适合于提升开关电源等系统的整体能效。此外，器件支持高达150°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的运行可靠性。