STW11NM80

STW11NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了在高压开关应用中的快速开关特性和坚固性。这种设计理念使得器件在提供高功率处理能力的同时，能有效控制开关损耗和温升，为高效能电源系统奠定了硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中的电压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压（V_GS）下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。此外，其优化的栅极电荷（Q_g）与输入电容（C_iss）参数，有利于实现快速的开关转换，减少开关过程中的重叠损耗，并降低对栅极驱动电路的要求。

在电气参数与物理接口上，STW11NM80在25°C壳温（T_C）条件下可连续通过11A的漏极电流，最大功耗达150W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计合理，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，这种封装形式具有优异的热性能，便于安装散热器，非常适合高功率密度应用。其宽泛的工作结温范围（-65°C至150°C）也保证了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

基于其高压、低损耗及高可靠性的特点，STW11NM80非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、工业电机驱动与变频器中的功率转换单元、不间断电源（UPS）以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积，并增强长期运行的稳定性。

• 型号:STW11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW11NM80的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW11NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（V_DSS）和11A连续漏极电流（I_D），专为高压、高功率应用设计。

其技术优势在于实现了低导通电阻（R_DS(on)）与优化动态特性的结合，有助于降低传导与开关损耗。采用TO-247-3封装，提供了出色的功率耗散能力（150W）和热管理特性，确保在-65°C至150°C的宽温范围内稳定工作，适用于要求严苛的工业与消费类电源解决方案。