STW12N150K5

ST意法半导体推出的STW12N150K5是一款采用先进MDmesh K5技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了开关效率与功率密度。

该MOSFET具备1500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级功率转换中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A，而最大功耗能力达到250W，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻在典型工作条件（Vgs=10V， Id=3.5A）下最大值为1.9欧姆，结合仅47nC（@10V）的低栅极总电荷，共同确保了在硬开关和软开关拓扑中都能实现低导通损耗与快速的开关切换，有效减少开关过程中的能量损失。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为5V，而驱动电压范围宽至±30V，提供了设计上的灵活性并增强了抗干扰能力。

在接口与参数方面，ST代理商通常备有充足库存的STW12N150K5采用坚固可靠的TO-247通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理，确保器件在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为1360pF，这一参数与低Qg特性相结合，有助于简化栅极驱动电路的设计，降低对驱动电流的要求。

凭借其高压、高效和高可靠性的特点，STW12N150K5非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的离线式电源应用。典型应用场景包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变桥、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器中的升压或逆变电路，以及电焊机和电机驱动等高性能工业设备。它为设计工程师在构建高能效、高功率密度和鲁棒性的电源解决方案时，提供了一个值得信赖的核心功率开关选择。

• 型号:STW12N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW12N150K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件核心优势在于其1500V的高耐压能力与低导通损耗特性的结合，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下最大为1.9欧姆，同时具备低至47nC的栅极电荷（Qg），这共同优化了开关性能与能效。

该MOSFET在壳温25°C下可支持7A的连续漏极电流，最大功率耗散为250W，采用TO-247通孔封装以利于散热。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和±30V的栅源电压容限，确保了其在严苛工业环境下的应用可靠性，主要面向高效开关电源、太阳能逆变器及工业电机驱动等高压功率转换领域。