STW12NK80Z

STW12NK80Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。该器件基于先进的SuperMESH技术平台构建，通过优化的单元结构和制造工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

其核心特性在于高达800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为10.5A，结合低至750毫欧（典型值，条件为10V Vgs, 5.25A Id）的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有优异的功率处理能力和较低的功率耗散。栅极驱动方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，标准10V驱动电压下即可实现完全导通，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为87nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，提升系统整体频率和效率。

该MOSFET的输入电容（Ciss）在25V Vds下最大值为2620pF，栅源极间可承受±30V的电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其最大功率耗散能力在壳温条件下为190W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，展现了强大的热性能和可靠性。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STW12NK80Z非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够帮助系统设计实现更高的功率密度、更优的能效等级以及更稳健的长期运行表现。

• 型号:STW12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW12NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及10.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（@10V, 5.25A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为87nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业电源系统的理想选择。