STW13N80K5

STW13N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247通孔封装，专为应对高电压、高效率的应用挑战而设计。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系，这是实现低开关损耗和高功率密度的基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能组合。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力与开关尖峰，提供充裕的设计裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为450毫欧（@6A），这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为29nC，结合适中的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。其结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作能力。

在接口与参数层面，该器件设计为电压驱动型，标准10V栅极电压即可实现完全导通，最大栅源电压可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为12A，最大功率耗散能力达190W（Tc），配合TO-247封装良好的散热特性，能够处理可观的功率等级。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STW13N80K5非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的场合。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换部分、电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及高性能照明（如LED驱动）和焊接设备中的功率级。它是工程师在构建800V级高压功率处理单元时，一个兼顾性能与成本效益的优选器件。

• 型号:STW13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在10V Vgs下典型值仅为450mΩ @ 6A，有效降低了导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至29nC，有助于实现快速的开关切换，从而减少开关损耗，提升系统整体效率。该器件额定连续漏极电流（Id）为12A（Tc），最大功耗190W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的功率转换解决方案，如开关电源、PFC电路和电机驱动等，提供了坚实的硬件基础。