STW13NM50N

STW13NM50N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其核心在于优化了单元密度与电荷平衡，使得在500V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制寄生电容并降低导通电阻（Rds(on)），从而提升整体能效。这种架构特别适用于需要处理高电压、高功率的开关模式电源（SMPS）拓扑。

该MOSFET的显著特性包括高达12A的连续漏极电流（Tc=25°C）能力以及在10V驱动电压、6A电流下仅320毫欧的最大导通电阻。较低的Rds(on)直接转化为更低的传导损耗，有助于提高系统效率并减少热管理需求。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STW13NM50N采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为100W（Tc）。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，用户可通过官方ST代理渠道获取最新的产品生命周期信息和技术支持。

得益于其500V的耐压和良好的开关特性，STW13NM50N非常适合应用于离线式开关电源（AC-DC转换器）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）等中高功率领域。在这些场景中，它能够作为主开关管或同步整流元件，有效提升电源系统的功率密度和能源转换效率。

• 型号:STW13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NM50N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为500V，在25°C壳温下可承受高达12A的连续漏极电流，主要设计用于高效能的功率开关应用。

其核心优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为320毫欧（@6A），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，30nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关速度，优化高频工作时的效率。器件采用TO-247-3封装，提供良好的散热路径，最大功耗为100W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了设计的鲁棒性。