STW14NK60Z

STW14NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在600V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的阻断能力，同时通过降低单位面积的导通电阻（Rds(on)）来提升整体能效。

该器件的一个显著特点是其优异的开关性能与导通特性。在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。其高达13.5A的连续漏极电流（Tc条件下）和160W的最大功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在苛刻环境下的稳定运行。

在电气参数方面，STW14NK60Z提供了明确的操作边界。其漏源击穿电压额定为600V，栅源电压可承受±30V的最大值，为驱动设计提供了充足的裕量。导通电阻在6A电流、10V栅压下的最大值为500毫欧。采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以充分发挥其功率处理潜力。对于需要获取官方技术支持和正品保障的设计，建议通过ST授权代理进行采购。

得益于其高耐压、低导通损耗和稳健的封装，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关拓扑中，例如反激、正激或半桥架构。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明系统的电子镇流器等应用场景，作为关键的功率开关元件，负责高效地进行电能转换与控制。

• 型号:STW14NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW14NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与13.5A的连续漏极电流（Tc条件下），最大功率耗散达160W，适用于中高功率应用。

其技术亮点在于通过优化的设计实现了低导通电阻与良好的开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关速度并降低驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及UPS系统中高效功率转换的理想选择。