STW14NM50

STW14NM50是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和工艺处理，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种设计使得器件在高压工作条件下，能够有效管理功率密度和热性能，为高效率的功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET具备一系列突出的功能特性。其550V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等应用中的高压母线环境。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的损耗，并简化驱动电路的设计，提升开关频率潜力。其坚固的TO-247-3封装提供了优异的导热路径，结合高达175W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在高功率应用中的可靠性与长寿命。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

在电气参数上，STW14NM50标称连续漏极电流（Id）为14A（Tc=25°C），栅极阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备较宽的驱动安全裕度。其Vgs电压最大可承受±30V，增强了栅极驱动的鲁棒性。这些参数共同定义了一个高性能的功率开关窗口，使其能够在苛刻的工况下稳定运行，最高结温（Tj）可达150°C。

基于其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、工业电机驱动和变频器中的功率级、不间断电源（UPS）以及高性能照明镇流器等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体方案的功率密度与可靠性。

• 型号:STW14NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW14NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。

其电气参数设计针对高效功率开关进行了平衡，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现快速的开关切换并减少开关损耗。器件标称连续漏极电流为14A，最大结温为150°C，功率处理能力达175W，确保了在工业级电源转换、电机控制等应用中的强劲性能和可靠运行。