STW15N95K5

STW15N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。通过优化的单元结构和先进的工艺技术，该芯片在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备950V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和浪涌，为系统提供了宽裕的安全工作裕量。其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为500毫欧，较低的导通损耗直接转化为更少的热量产生和更高的能源利用效率。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在40nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（V_GS）耐受能力，意味着它既能够实现快速的开关切换以降低开关损耗，又具备较强的抗栅极噪声干扰能力，驱动电路设计更为稳健。

在电气参数方面，STW15N95K5在壳温（T_C）条件下支持高达12A的连续漏极电流，最大功耗可达170W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。输入电容（C_iss）等动态参数也经过精心优化，有助于简化栅极驱动设计并改善高频开关性能。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、UPS（不间断电源）系统以及电焊机等高性能功率转换设备。其TO-247封装形式也便于在需要较高散热能力的场合安装散热器，从而充分发挥其性能潜力。

• 型号:STW15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW15N95K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至500毫欧（@10V，6A）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这为高压应用提供了优异的效率与可靠性。

其电气特性包括在壳温条件下12A的连续漏极电流能力，以及典型值为40nC的较低栅极电荷（Q_g），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗为170W（T_C），适用于要求严苛的工业环境。这些参数使其成为高压、高效率功率转换设计的理想选择。